Deposición fotoquímica de complejos ß-dicetonatos de Ga(III), Tb(III) y Eu(III) y su posterior formación como óxidos metálicos

Abstract

En esta investigación, complejos de Ga(acac)3, Tb(acac)3 y Eu(acac)3 se utilizaron como precursores para la deposición de películas delgadas de Ga2O3-Tb(III)-Eu(III). Para ello, los complejos β-dicetonatos fueron disueltos en diclorometano y posteriormente depositados sobre sustratos de ITO y cuarzo mediante la técnica spin coating. Posteriormente las películas fueron irradiadas bajo luz UV por 24 horas, para la formación de las películas de Ga2O3 co-dopadas. Los depósitos resultantes fueron tratados térmicamente a 500ºC durante 3 hrs, con el fin de obtener películas más cristalinas. Las películas obtenidas fueron caracterizadas por espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS) para determinar su composición. Las propiedades ópticas tales como transparencia y la determinación del band gap óptico fueron evaluadas por espectroscopía UV-visible. Finalmente se abordó las propiedades luminiscentes de los depósitos co-dopados bajo excitación a los 250 nm.